工艺腔室及半导体设备
授权
摘要
本实用新型提供一种工艺腔室及半导体设备，其中，工艺腔室用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体、进气组件、抽气组件和缓流部件；进气组件与腔室本体连通，用于向腔室本体内充入冷却气体；抽气组件与腔室本体连通，用于从腔室本体内抽出冷却气体；进气组件和/或抽气组件通过缓流部件与腔室本体内部连通；缓流部件贯穿腔室本体的侧壁，以改变冷却气体进出腔室本体的气流方向，用于减缓冷却气体对晶圆的气流冲击。本实用新型提供的工艺腔室及半导体设备，能够提高晶圆在冷却降温过程中的稳定性及安全性，从而提高工艺腔室及半导体设备的使用稳定性。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122612133.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
CN216514101U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
金晨李建银刘学良马永
申请人 ：
北京七星华创集成电路装备有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区天竺综合保税区竺园三街6号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202122612133.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/58 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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