本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、下电极组件和设置在腔体中的基座及内衬组件，基座包括卡盘，内衬组件环绕设置在基座的四周，下电极组件用于向卡盘提供射频，内衬组件包括上内衬、下内衬和隔离结构，上内衬的顶部与腔体的顶壁电连接，上内衬的底部与下内衬的顶部通过隔离结构绝缘连接，下内衬的底部与腔体的底部电连接。在本发明中，在本发明中，内衬组件为分体式设计，上内衬与下内衬之间形成电容结构，使等离子体鞘层通过内衬组件与腔体连接的路径上存在电容，从而可以通过调节该电容的方式，改变下电极功率中参与等离子体离化的功率与产生偏压的功率之间的比值，实现提高下电极自偏压。本发明还提供一种半导体工艺设备。