反应腔室及半导体工艺设备
授权
摘要
本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内门组件和升降机构，其中：所述腔体的内腔设置有内衬，所述内衬设有与所述腔体的侧壁开口相对的传片口；所述升降机构包括连杆和轴套组件，所述连杆穿设于所述腔体的底壁，并与所述内门组件相连，所述连杆用于带动所述内门组件升降移动，以遮挡或者避让所述传片口；所述轴套组件固定设置于所述内腔中，且位于所述传片口的下侧，所述轴套组件邻近所述传片口设置，并套设于所述连杆外侧。上述方案能够解决相关技术中的反应腔室存在的连杆偏斜、维护难度大的问题。
基本信息
专利标题 ：
反应腔室及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114050101A
申请号 ：
CN202210014882.1
公开（公告）日 ：
2022-02-15
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
CN114050101B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李会鑫鲁艳成王伟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
兰天爵
优先权 ：
CN202210014882.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2022-03-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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