半导体加工系统反应腔室

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摘要

本发明涉及一种半导体加工系统反应腔室，包括由窗体、腔室壁组成的封闭空间，可腔室壁设侧面进气口，也可在窗体上设有中央进气口，或同时设侧面进气口和中央进气口，腔室壁下部连通有排气口，腔室壁内侧设有内衬，腔室壁内底侧设有底衬，内衬内侧设有里层内衬，在内衬和里层内衬之间留有距离，构成气体流动空间，里层内衬的壁上设置有若干气孔，里层内衬以内的封闭空间与进气口连通，气体流动空间与排气口连通。本发明具有两层内衬，里层内衬用来保证腔室内等离子体的均匀性，利用气体流动空间的缓冲，提高了腔室气体排出的均匀度，可以通过反应腔室的进、排气方式来提高腔室内等离子体的均匀性。

基本信息

专利标题：

半导体加工系统反应腔室

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848376A

申请号：

CN200510130734.2

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张宝峰

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

练光东

优先权：

CN200510130734.2

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/205 H01L21/3065 H01L21/67 C23C16/44 C23C14/22 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/00