一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块,该半导体工艺管路穿腔模块包括模块本体及温控系统,模块本体设置有汽化通道;温控系统包括温度调节装置以及测控装置,温度调节装置设置于模块本体,测控装置设置于模块本体且测控装置与温度调节装置通信连接,测控装置用于检测模块本体的温度并据此检测信息控制温度调节装置;该半导体工艺管路穿腔模块采用独立模块化设计,其可拆卸地设置于反应腔室上,可以更换不同配置的半导体工艺管路穿腔模块,或者对半导体工艺管路穿腔模块进行改装,增减温控系统,形成可选配设计,提高装置的灵活性,便于使用,并且可以对模块本体温度进行精确控制,避免出现工艺气体液化的现象。

基本信息
专利标题 :
一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318300A
申请号 :
CN202111655834.2
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
谈太德张建
申请人 :
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 :
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
李海建
优先权 :
CN202111655834.2
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/52  H01L21/67  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20211230
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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