本实用新型涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种采用磁控溅射镀膜的反应腔室和镀膜设备,用以减少阳极消失、靶溅射不均匀等原因引起的成膜问题。其中该反应腔室包括：腔室本体；设置于腔室本体内2+2n个靶，n为大于等于0的整数；中频电源，与相同的2个靶电连接，其中：连接同一中频电源的两个靶构成孪生靶；第一驱动装置和第二驱动装置，分别连接一对孪生靶中的一个靶的转轴，孪生靶中的一个沿第一方向旋转，孪生靶中的另一个沿第二方向旋转，第一方向和第二方向相反。