基座及反应腔室
授权
摘要
本实用新型提供一种基座及反应腔室，基座包括：基座本体，基座本体的上表面开设有多个安装槽；以及多个支撑件，每个支撑件可拆卸地设置于一个安装槽内且支撑件的端部凸出于基座本体的上表面。本实用新型在基座本体的上表面设置安装槽，支撑件可拆卸地设置于安装槽内，可支撑晶圆；当根据工艺要求需要更换不同高度的支撑件或者原有支撑件出现磨损时，可将原有支撑件从安装槽内拆卸，更换合适的或者新的支撑件，从而使基座适应于不同的工艺要求，且降低维护成本。
基本信息
专利标题 ：
基座及反应腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021166900.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212322959U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
徐刚
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202021166900.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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