反应腔
专利权的终止
摘要
一种反应腔，适用于等离子体工艺的机器，反应腔具有开口，开口表面设置有遮板，其中，遮板与晶片的表面相对，且遮板的表面为粗糙的表面。遮板粗糙的表面可以增加附着涂布的面积，降低剥落的情形，从而减轻微粒的污染。
基本信息
专利标题 ：
反应腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720142563.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-05-22
授权号 ：
CN201112360Y
授权日 ：
2008-09-10
发明人 ：
张力夫徐大镇吴书明蔡庆文杨易昌
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200720142563.X
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/3213 H01L21/67 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2011-07-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101090910489
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200720142563X
申请日 : 20070522
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20100522
号牌文件序号 : 101090910489
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200720142563X
申请日 : 20070522
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20100522
2008-09-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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