具有后模制镀镍/钯/金的引线的半导体装置

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种具有引线框的半导体装置，所述引线框由基底金属(110，例如，铜)、芯片安装垫(103)和多个引线区段(104)组成。所述区段中的每一者具有接近所述安装垫的第一末端(104a)和远离所述安装垫的第二末端(104b)。所述装置进一步具有附着于所述安装垫的半导体芯片(103)和位于所述芯片与所述第一区段末端之间的电互连(107)。封装材料(120)覆盖所述芯片、接合线和所述第一区段末端，然而使所述第二区段末端保持暴露。所述第二区段末端的至少若干部分的所述基底金属由可软焊金属层(130，例如，镍)和贵金属最外层(140，例如，钯与金的堆叠)覆盖。

基本信息

专利标题：

具有后模制镀镍/钯/金的引线的半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101405862A

申请号：

CN200580042625.3

公开（公告）日：

2009-04-08

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

唐纳德·C·阿博特埃德加·R·祖尼加－奥尔蒂斯

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国得克萨斯州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

优先权：

CN200580042625.3

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495 H01L21/00