半导体均匀镀镍装置
授权
摘要
本实用新型揭示了一种半导体均匀镀镍装置包括机架，所述机架两端支杆底部设置有抛动机构，所述机架上设置有水浴槽，所述水浴槽内通过恒温机构/加热机构+温度感应机构控制水浴槽内水温，所述水浴槽的内部设置有镀镍槽，所述水浴槽与镀镍槽连接支杆，并随所述支杆做抛动运动，所述镀镍槽内设置有用于固定半导体的定位机构，所述镀镍槽内还设置有防镍析出机构。本方案通过抛动机构在镀镍过程中使产品与镀镍液充分均匀地接触，同时通过水浴槽对镀镍液稳定地进行水浴加热，确保镀镍液的稳定性，保证产品镀镍层的均匀性和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体均匀镀镍装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123208971.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
CN216688384U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张少阳高翔鹰
申请人 ：
苏州芯矽电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区江浦路41号1栋
代理机构 ：
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆明耀
优先权 ：
CN202123208971.X
主分类号 ：
C25D17/00
IPC分类号 ：
C25D17/00 C25D7/12 C25D21/02 C25D17/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D17/00
电解镀覆用电解槽的结构件、或其组合件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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