温度补偿电阻器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种用于在半导体衬底上形成温度补偿电阻器的方法。在半导体衬底上形成电阻器元件。在电阻器元件的末端形成终端触点。形成温度补偿配置，所述温度补偿配置选自电阻器元件中与终端触点相间隔并且在终端触点中间的放大横向部分；以及与电阻器元件相接触、沿电阻器元件排列、与终端触点相间隔并且在终端触点中间的至少一个接触图案。
基本信息
专利标题 ：
温度补偿电阻器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783427A
申请号 ：
CN200510117056.6
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
楚尔·宏·帕克
申请人 ：
安捷伦科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王怡
优先权 ：
CN200510117056.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/822 H01L27/04 H01L23/34
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2013-12-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101554360432
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101170566
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20120425
终止日期 : 20121031
号牌文件序号 : 101554360432
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101170566
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20120425
终止日期 : 20121031
2012-04-25 ：
授权
2009-08-05 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 安捷伦科技有限公司
变更后权利人 : 安华高科技杰纳勒尔IP（新加坡）私人有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
登记生效日 : 20090703
变更前权利人 : 安捷伦科技有限公司
变更后权利人 : 安华高科技杰纳勒尔IP（新加坡）私人有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
登记生效日 : 20090703
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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