线性正温度系数金属膜热敏电阻器的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
线性正温度系数金属膜热敏电阻器的制造方法包括热敏电阻基体预处理、靶材制备、磁控贱射镀膜、膜层热处理和电极制作，靶材通过选用Ni、Cr、Fe、Ti、Au、Ag、Pt、Cu、Al、Mn等纯金属或康铜、锰铜、铁铬铝、镍铬铝、镍铁等合金板块的品种并以相间形式排列，构成组合靶材，磁控溅射镀膜制得的薄膜的真空热处理温度为300～500℃，时间为2～5小时，真空度为(2～8)×10-3帕，其电阻器的电阻—温度特性的线性偏差小于±1％。
基本信息
专利标题 ：
线性正温度系数金属膜热敏电阻器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1100558A
申请号 ：
CN93111746.1
公开（公告）日 ：
1995-03-22
申请日 ：
1993-09-17
授权号 ：
CN1035458C
授权日 ：
1997-07-16
发明人 ：
陈国平张随新张浩康
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
210018江苏省南京市四牌楼二号
代理机构 ：
东南大学专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN93111746.1
主分类号 ：
H01C17/12
IPC分类号 ：
H01C17/12 H01C7/02 H01C17/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C17/00
制造电阻器的专用设备或方法
H01C17/06
适用于在基片上涂敷电阻材料的
H01C17/075
用薄膜工艺的
H01C17/12
用溅射法
法律状态
1998-11-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-07-16 ：
授权
1995-03-22 ：
公开
1994-12-14 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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