高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种居里温度大于310℃的正温度系数热敏电阻半导体致密陶瓷材料，采用快速烧结技术，可有效地防止Pb挥发，控制晶粒长大，材料的室温电阻率可小于103欧姆·厘米，电阻率比值可达到4个数量级。
基本信息
专利标题 ：
高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108454A
申请号 ：
CN85108454.0
公开（公告）日 ：
1987-06-03
申请日 ：
1985-11-23
授权号 ：
CN85108454B
授权日 ：
1987-08-26
发明人 ：
刘梅冬贾连娣赖希伟张绪礼陈志雄周方桥莫以豪
申请人 ：
华中工学院
申请人地址 ：
湖北省武汉市喻家山
代理机构 ：
华中工学院专利事务所
代理人 ：
陈志凌
优先权 ：
CN85108454.0
主分类号 ：
H01C7/02
IPC分类号 ：
H01C7/02 C04B35/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/02
具有正温度系数的
法律状态
1991-05-22 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-03-16 ：
授权
1987-08-26 ：
审定
1987-06-03 ：
公开
1986-09-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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