正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺
驳回申请决定
摘要
一种半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺，本发明采用SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前引入工艺，使得用Fe、Mg等受主杂质含量较高的原料生产正温度系数陶瓷热敏电阻的瓷料易于半导化，提高了原料适用性及产品的成品率，产品的性能得到很大改善。
基本信息
专利标题 ：
正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100019A
申请号 ：
CN85100019
公开（公告）日 ：
1986-02-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方春行刘维跃沈继耀谈家琪徐庭献曲远方
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
周维义
优先权 ：
CN85100019
主分类号 ：
H01C7/02
IPC分类号 ：
H01C7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/02
具有正温度系数的
法律状态
1987-10-07 ：
驳回申请决定
1986-09-24 ：
实质审查请求
1986-02-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN85100019A.PDF
PDF下载
