电阻器结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种电阻器结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种电阻器结构的制造方法，通过在利用现有技术形成MIM电容器结构的过程中，利用该MIM电容器结构的金属上极板的部分区域作为薄膜电阻器件使用，以替代传统工艺形成的多晶硅电阻。由于在本发明提供的电阻器结构的制造方法中，其是利用MIM电容器结构的金属上极板其温度系数低的特性，从而形成一种温度系数低、电阻精度高的薄膜电阻，进而实现解决多晶硅电阻由于温度系数太大，无法配置高精度电阻的缺点，并在利用已有资源的基础上，节约了形成电阻器件的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
电阻器结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551432A
申请号 ：
CN202210455002.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫熙蒋德舟赵斌
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210455002.4
主分类号 ：
H01L27/01
IPC分类号 ：
H01L27/01 H01L21/70 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/01
只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/01
申请日 : 20220428
申请日 : 20220428
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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