制造精密含硅电阻器的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供制造高精密含硅电阻器的各种方法，其中电阻器利用低温硅化形成为在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中集成的分立器件。在一些实施例中，含Si层在激活之前被注入有高剂量离子。通过保护性电介质层的沉积、或单独激活退火可以进行该激活。在另一实施例中，利用高度掺杂的原位含Si层从而消除对注入含Si层的需要。
基本信息
专利标题 ：
制造精密含硅电阻器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828867A
申请号 ：
CN200610004530.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·M·拉塞尔道格拉斯·D·库尔鲍约翰·E·弗洛基
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610004530.9
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651894196
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045309
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20150127
号牌文件序号 : 101651894196
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045309
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20150127
2012-06-06 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101371127093
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045309
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 谷歌公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约阿芒克
变更后权利人 : 美国加利福尼亚
登记生效日 : 20120427
号牌文件序号 : 101371127093
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045309
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 谷歌公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约阿芒克
变更后权利人 : 美国加利福尼亚
登记生效日 : 20120427
2008-05-14 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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