一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为1～1.5时，形成稳定性好，B值为4000K～6000K，其均匀度优于0.1％的掺金硅热敏材料，利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后，元件在-30～+50℃温区阻值互换精度为0.2％。高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3％。本发明可广泛地应用于工业、农业，尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。
基本信息
专利标题 ：
一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85102901A
申请号 ：
CN85102901.9
公开（公告）日 ：
1986-09-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85102901B
授权日 ：
1988-03-02
发明人 ：
陶国强陶明德
申请人 ：
中国科学院新疆物理研究所
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市二宫新疆物理研究所
代理机构 ：
中国科学院新疆专利事务所
代理人 ：
王蔚
优先权 ：
CN85102901.9
主分类号 ：
H01C7/04
IPC分类号 ：
H01C7/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/04
具有负温度系数的
法律状态
1990-08-15 ：
专利权的终止
1989-07-12 ：
授权
1988-03-02 ：
审定
1986-11-05 ：
实质审查请求
1986-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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