多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅
实质审查的生效
摘要
本发明降低所要制造的多晶硅的杂质浓度。多晶硅(S1)的制造装置(1)具备：反应器(10)，反应器(10)容纳硅析出用的原料气体(G1)；供给配管(20)，供给配管(20)形成供给流道，供给流道包括流入原料气体(G1)并且形成于反应器(10)中的流入口(111)，供给流道用于将原料气体(G1)供给至反应器(10)内；以及过滤器(30)，过滤器(30)设置于供给流道中，并且将混入至原料气体(G1)中的杂质去除。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114502509A
申请号 ：
CN202080069173.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川浩一
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑世奇
优先权 ：
CN202080069173.2
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035 B01D46/24 B01D46/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/035
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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