低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种显示面板，包括一基板；一多晶硅层，形成于基板上，且多晶硅层利用一固相结晶法结晶而成；一氮氧化硅(SiON)层，形成于多晶硅层上，且氮氧化硅层的折射率约为1.46至1.9；和一栅极(gate electrode)，形成于氮氧化硅层上。
基本信息
专利标题 ：
低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794889A
申请号 ：
CN200510119309.3
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭佳添
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119309.3
主分类号 ：
H05B33/00
IPC分类号 ：
H05B33/00 H05B33/12 H05B33/10 G09G3/32 H01L29/786
法律状态
2018-05-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/786
登记生效日 : 20180427
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 友达光电股份有限公司
变更后权利人 : 华星光电国际（香港）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市
变更后权利人 : 中国香港新界荃湾大涌道8号TCL工业中心13楼
登记生效日 : 20180427
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 友达光电股份有限公司
变更后权利人 : 华星光电国际（香港）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市
变更后权利人 : 中国香港新界荃湾大涌道8号TCL工业中心13楼
2009-01-14 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
