薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，薄膜晶体管包括半导体层、源极金属层以及漏极金属层，半导体层包括第一区域，第一区域的第一端沿第一方向延伸出第二区域，第一区域的第二端沿第一方向延伸出第三区域；源极金属层及漏极金属层均沿第一方向延伸，且源极金属层覆盖第一端及第二区域的至少部分区域，漏极金属层覆盖第二端及第三区域的至少部分区域。本实用新型实施例有效减小了源极金属层和漏极金属层与半导体层的接触势垒，能够使薄膜晶体管中半导体层与源极金属层和漏极金属层之间的接触电阻减小，且提高薄膜晶体管中载流子形成反型层的速度。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021035086.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-08
授权号 ：
CN211789030U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
王骏黄中浩田茂坤赵永亮
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202021035086.9
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/06 H01L29/417 H01L29/47 H01L27/12
相关图片
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211789030U.PDF
PDF下载
