薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板
授权
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的绝缘预备区；对绝缘预备区进行氧化处理，以使得绝缘预备区形成为绝缘块、源极区形成为源极、漏极区形成为漏极。本发明还提供采用薄膜晶体管的制造方法制造的薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示基板以及包括显示基板的显示面板，薄膜晶体管的制造方法可以避免形成源极和漏极过程中对有源层的污染和损害，使得所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的器件稳定性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109103113A
申请号 ：
CN201810943108.2
公开（公告）日 ：
2018-12-28
申请日 ：
2018-08-17
授权号 ：
CN109103113B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李梁梁崔大林胡贵光李潭邹振游付婉霞陈周煜霍亚洲
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜春咸
优先权 ：
CN201810943108.2
主分类号 ：
H01L21/34
IPC分类号 ：
H01L21/34 H01L29/786 H01L29/45
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20180817
申请日 : 20180817
2018-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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