薄膜晶体管基板制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；采用一道光罩制程在该基板上形成闸极及反射层；在该闸极及反射层上形成半导体层；在该半导体层上形成源/汲极；在该源/汲极上形成钝化层；在该钝化层形成像素电极。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983558A
申请号 ：
CN200510120971.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜子旻赖建廷
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510120971.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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