薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管基板的方法
授权
摘要
本发明提供一种能够增大ON电流值且降低OFF电流值的薄膜晶体管(TFT)、具有该多晶硅TFT的TFT基板、制造该多晶硅TFT的方法、以及制造具有该多晶硅TFT的TFT基板的方法。该多晶硅TFT基板包括定义象素区域的栅极线和数据线、形成在该象素区域中的象素电极、以及TFT，该TFT包括栅极电极、源极电极、漏极电极、以及多晶硅有源层。该多晶硅有源层包括该栅极电极叠置在其上的沟道区域、分别连接至该源极和漏极电极的源极和漏极区域、以及分别形成在该源极区域与该沟道区域之间以及在该漏极区域与该沟道区域之间的至少两个轻掺杂漏极(LDD)区域，该LDD区域具有彼此不同的杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管基板的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1873989A
申请号 ：
CN200610071834.7
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳春基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610071834.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/786 H01L21/336 H01L21/84 G02F1/136
法律状态
2013-02-13 ：
授权
2012-11-28 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121030
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101474944076
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利申请号 : 2006100718347
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121030
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101474944076
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利申请号 : 2006100718347
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
2008-07-16 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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