薄膜晶体管基板及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；依次在该绝缘基底上沉积一透明导电金属层和一栅极金属层；在一道光罩制程中形成预定图案的像素电极与栅极；在该绝缘基底、像素电极与栅极上沉积一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成具有预定图案的半导体层；在该栅极绝缘层上形成一接触孔图案；在该半导体层和该栅极绝缘层上形成源/漏极图案。本发明的制造方法采用一道光罩制程形成预定图案的像素电极与栅极，可简化制程，降低成本。本发明还提供一采用该方法制造的薄膜晶体管基板。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956172A
申请号 ：
CN200510100782.7
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪肇逸陈智豪
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510100782.7
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12 G02F1/136 G02F1/1368
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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