薄膜晶体管阵列基板的制造方法
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摘要
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在基板上形成多条扫描配线。在基板上依序形成图案化介电层与图案化半导体层，以覆盖部分扫描配线。在基板上依序形成图案化透明导电层与图案化金属层，以定义出多条数据配线、多个源极/漏极、多个像素电极与多个刻蚀保护层。刻蚀保护层分别包覆未被图案化介电层与图案化半导体层覆盖而曝露的扫描配线，并与扫描配线电性并联。在基板上形成保护层。移除像素电极上方的保护层与像素电极的图案化金属层，以曝露出图案化透明导电层，并且同时移除刻蚀保护层与数据配线之间的扫描配线上方的图案化半导体层，以暴露出图案化介电层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828873A
申请号 ：
CN200610007372.2
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳宗
申请人 ：
广辉电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省桃园县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
任默闻
优先权 ：
CN200610007372.2
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2008-02-06 ：
授权
2008-01-02 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 台湾省桃园县
变更后 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071130
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 台湾省桃园县
变更后 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071130
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100367488C.PDF
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2、
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