薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
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摘要
本发明关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法包含下列步骤：形成薄膜晶体管于基板的有源区域之上与接触垫于基板的外围区域之上。依序形成无机绝缘层与有机绝缘层覆盖薄膜晶体管与接触垫。图案化有机绝缘层。再以六氟化硫/氧气蚀刻未被有机绝缘层覆盖的无机绝缘层，以形成具有第一倾斜侧壁的第一接触窗于外围区域上及具有第二倾斜侧壁的第二接触窗于有源区域上，并残留部分的有机绝缘层于外围区域之上。其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间。形成图案化导体保护层于接触窗上。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832149A
申请号 ：
CN200610051490.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李淑琴胡冠彣杨智钧江怡禛黄国有
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610051490.3
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/768 H01L27/12 H01L23/522 G02F1/1362
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2009-01-07 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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