薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，该基板包括：连接到栅线的栅极；连接到与栅线交叉并限定像素区域的数据线的源极；与源极相对的漏极，在二者之间设置有沟道；限定源极和漏极之间沟道的半导体层；位于像素区域并与漏极连接的像素电极；形成于半导体层沟道上的钝化层；延伸自栅线的栅焊盘，所述栅线上形成有半导体图案和透明导电图案；连接到数据线的数据焊盘，所述数据线上形成有半导体层；以及形成于半导体层、数据线和数据焊盘下方的栅绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797773A
申请号 ：
CN200510134211.5
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔荣锡庾弘宇曹基述李在晤丁辅径
申请人 ：
LG.菲利浦LCD株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN200510134211.5
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84 G02F1/1368
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法律状态
2020-11-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02F 1/1368
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20100922
终止日期 : 20191212
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20100922
终止日期 : 20191212
2010-09-22 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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