薄膜晶体管基板及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“I_on”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“I_off”)。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管基板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832182A

申请号：

CN200610056776.0

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

裵良浩郑敞午吴旼锡李制勋赵范锡

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

优先权：

CN200610056776.0

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84