薄膜晶体管基板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了薄膜晶体管基板、其制造方法和具有其的液晶显示面板。所述薄膜晶体管基板包括:包括漏电极的薄膜晶体管;形成于所述薄膜晶体管上的第一钝化膜;形成于所述第一钝化膜上且具有比所述第一钝化膜更低电阻率的第二钝化膜;和形成于所述第二钝化膜上且包括电连接到所述漏电极的第一像素区以及从所述漏电极和第一像素区电隔离的第二像素区的像素电极。因此,当电源关时,薄膜晶体管基板有效地释放积聚在像素中的电荷。
基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管基板及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819219A
申请号 :
CN200610051302.7
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2006-01-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金景旭
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610051302.7
主分类号 :
H01L27/12
IPC分类号 :
H01L27/12 H01L21/84 G02F1/133
相关图片
法律状态
2021-12-17 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20210105
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20210105
2012-12-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101480742700
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100513027
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121105
号牌文件序号 : 101480742700
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100513027
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121105
2008-12-17 :
授权
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100444391C.PDF
PDF下载
2、
CN1819219A.PDF
PDF下载