薄膜晶体管基板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开一种薄膜晶体管基板制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;在该绝缘基底上形成预定图案的栅极;在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一非晶硅图案和一掺杂非晶硅图案;在该栅极绝缘层和掺杂非晶硅图案上依序形成一透明导电金属层和一源/漏极金属层;在一道光罩制造工艺中,对透明导电金属层和源/漏极金属层曝光、显影和蚀刻,以形成源极、漏极和像素电极。本发明的制造方法可以简化制造工艺,降低成本。本发明还提供一薄膜晶体管基板。
基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管基板及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1992290A
申请号 :
CN200510121225.3
公开(公告)日 :
2007-07-04
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林耀楠
申请人 :
群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 :
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510121225.3
主分类号 :
H01L27/12
IPC分类号 :
H01L27/12 H01L21/84 G02F1/1368
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法律状态
2021-12-03 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20201226
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20201226
2009-01-21 :
授权
2007-08-29 :
实质审查的生效
2007-07-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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