薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板。该TFT阵列基板包括：连接到栅线的栅极；连接到与栅线交叉并限定像素区域的数据线的源极；与源极相对且二者之间具有沟道的漏极；形成源极和漏极之间沟道的半导体层；位于像素区域并与漏极接触的像素电极；形成于半导体层上的沟道钝化层；具有延伸自栅线的栅焊盘下电极的栅焊盘；以及具有和数据线分离的数据焊盘下电极的数据焊盘。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797161A
申请号 ：
CN200510134498.1
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔荣锡庾弘宇曹基述李在晤丁辅径
申请人 ：
LG.菲利浦LCD株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN200510134498.1
主分类号 ：
G02F1/136
IPC分类号 ：
G02F1/136 H01L29/786 G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元
法律状态
2019-12-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02F 1/136
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20181215
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20181215
2008-09-10 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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