薄膜晶体管基板的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开一种薄膜晶体管基板的制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上形成栅极；在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层和一源/漏极金属层；在一道光罩制程中，对该源/漏极金属层、半导体层曝光、显影及蚀刻而形成一源极、漏极和一沟槽；在该栅极绝缘层、源极、漏极和沟槽上依序形成一钝化层和一光阻层；对该光阻层和该钝化层曝光、显影及蚀刻而形成一光阻图案和一钝化层图案；在该光阻图案、漏极与栅极绝缘层上沉积一透明导电金属层，并且移除该光阻图案形成像素电极。本发明的制造方法可节省二道光罩制程，因此简化制程，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043025A
申请号 ：
CN200610060013.3
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅健忠
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610060013.3
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2009-05-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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