薄膜晶体管基板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开一种薄膜晶体管基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；在第一道光罩制程中，在该绝缘基底上形成预定图案的像素电极与栅极；在第二道光罩制程中，形成一源/漏极和一沟槽；在该绝缘基底和像素电极上形成一与该漏极接触的金属接触层；在该源极、漏极、沟槽和金属接触层上沉积一钝化层；对钝化层和该金属接触层曝光及显影以形成一钝化层图案和一金属接触层图案。本发明的制造方法可以简化制程，降低成本。本发明还提供一薄膜晶体管基板。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964022A
申请号 ：
CN200510101208.3
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林耀楠
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510101208.3
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2019-11-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20181110
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20181110
2009-06-10 ：
授权
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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