薄膜晶体管基板及其制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、设置在该绝缘基底上的一栅极线及一存储电容电极线、一设置在该栅极线、该存储电容电极线及该绝缘基底上的绝缘层以及一设置在该绝缘层上的像素电极，该存储电容电极线与该像素电极形成一存储电容，该栅极线包括一第一金属层及位于该第一金属层上的第二金属层，该第一金属层及该存储电容电极线的材料都为高反射率金属。本发明的薄膜晶体管基板的像素单元亮度较高。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制造方法。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管基板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1982997A

申请号：

CN200510120679.9

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

颜子旻赖建廷

申请人：

群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司

申请人地址：

518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510120679.9

主分类号：

G02F1/136

IPC分类号：

G02F1/136 H01L29/786 G03F7/20 H01L21/027