薄膜晶体管基板及其制造方法
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摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。按照实施方式，所述薄膜晶体管基板的制造方法包括：在基板上形成栅极；在栅极上形成栅绝缘膜，所述栅绝缘膜在对应于要形成薄膜晶体管有源层的区域上具有凹槽；用纳米线在栅绝缘膜的凹槽中形成薄膜晶体管的有源层；以及在有源层上形成源极和漏极。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1885509A
申请号 ：
CN200510135001.8
公开（公告）日 ：
2006-12-27
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡基成朴美暻
申请人 ：
LG.菲利浦LCD株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN200510135001.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/84 H01L29/786 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-03-04 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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