薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板
公开
摘要
本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板；其中，薄膜晶体管包括：基板；栅极层，设置于基板上；电子阻挡层，设于栅极层上，电子阻挡层的材料功函数大于或等于5eV；栅极绝缘层，覆盖于电子阻挡层；半导体层，设置于栅极绝缘层上；源漏极层，设置于半导体层上。本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过在栅极层与栅极绝缘层之间设置电子阻挡层，并将电子阻挡层的功函数设置为大于5eV，从而可增加栅极层的电子跃迁到栅极绝缘层所需要的能量，从而可避免栅极层的电子在高亮度背光的作用下跃迁至栅极绝缘层，以防止栅极绝缘层的器件特性劣化，从而可提高薄膜晶体管在高亮度环境下的工作稳定性，以改善显示面板在户外的显示效果。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300541A
申请号 ：
CN202111648154.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴伟
申请人 ：
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
莫胜钧
优先权 ：
CN202111648154.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 G02F1/1362
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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