薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法

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摘要

提供一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极(20)和第一漏电极(30)；有源层(10)，所述有源层(10)位于所述第一源电极(20)和所述第一漏电极(30)上，并且具有位于所述第一源电极(20)与所述第一漏电极(30)之间的通道部(1)、与所述第一源电极(20)电连接的源电极接触部(2a)，以及与所述第一漏电极(30)电连接的漏电极接触部(3a)；第二源电极(21)，所述第二源电极(21)位于所述源电极接触部(2a)的远离所述第一源电极(20)的一侧，并且与所述第一源电极(20)电连接；以及第二漏电极(31)，所述第二漏电极(31)位于所述漏电极接触部(3a)的远离所述第一漏电极(30)的一侧，并且与所述第一漏电极(30)电连接。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109937484A

申请号：

CN201780000933.2

公开（公告）日：

2019-06-25

申请日：

2017-08-31

授权号：

CN109937484B

授权日：

2022-06-10

发明人：

刘威

申请人：

京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

刘悦晗

优先权：

CN201780000933.2

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786