薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种方法，其降低作为透明电极的第2电极、和第1电极(栅、源、漏)的接触部的接触电阻，抑制电池反应。该方法包括下述工序：在透明绝缘性基板上使用铝合金而形成作为第1电极的薄膜晶体管的第1电极(源等)的工序；覆盖第1电极及基板而形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上形成接触孔的工序；在绝缘膜上形成第2电极(透明电极)，并经由所述接触孔直接电连接第2电极和第1电极的工序，铝合金是含有Ni、和从Mo、Nb、W、Zr中选择的一种以上的金属的铝合金。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法、使用该薄膜晶体管的液晶显示装置、有机EL显示装置及透明导电叠层基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088166A
申请号 ：
CN200580044212.9
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井上一吉松原雅人
申请人 ：
出光兴产株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580044212.9
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/786 G02F1/1368 G09F9/00
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法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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