本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产设备的清洗方法、清洗装置及多晶硅生产设备。本申请中的清洗方法包括以下步骤：排出多晶硅生产设备内的剩余气体，向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体，使刻蚀气体与附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜相反应，获取部分内壁面的反应温度，根据部分内壁面的反应温度不再变化，确定附着在多晶硅生产设备的部分内壁面的硅薄膜完全清除，停止向多晶硅生产设备内通入刻蚀气体。根据本申请中的多晶硅生产设备的清洗方法，能够有效的将附着在生产设备的内壁面的硅薄膜完全清除，保证多晶硅生产设备工作的可靠性。