多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以...
授权
摘要
本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106573784A
申请号 ：
CN201580044611.9
公开（公告）日 ：
2017-04-19
申请日 ：
2015-07-29
授权号 ：
CN106573784B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
祢津茂义星野成大冈田哲郎齐藤弘
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
鲁雯雯
优先权 ：
CN201580044611.9
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2017-08-15 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101741966046
IPC(主分类) : C01B 33/035
专利申请号 : 2015800446119
申请日 : 20150729
号牌文件序号 : 101741966046
IPC(主分类) : C01B 33/035
专利申请号 : 2015800446119
申请日 : 20150729
2017-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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