多晶硅的制造方法
授权
摘要
本发明提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括硅析出工序、分离工序、氯化氢除去工序、氢纯化工序、活性炭再生工序及循环工序。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109843800A
申请号 ：
CN201780062481.0
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2017-10-05
授权号 ：
CN109843800B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
井上祐一江野口正美冈村恒太郎
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹吉伟
优先权 ：
CN201780062481.0
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035 C01B3/52 C01B3/56 C01B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-06-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/035
申请日 : 20171005
申请日 : 20171005
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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