多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

基本信息

专利标题：

多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848365A

申请号：

CN200510119279.6

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-11-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郑世镇金治宇郑义振金东范

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510119279.6

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/20 H01L21/268 H01L21/324 H01L21/336 B23K26/00 C30B28/00