薄膜晶体管的制造方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法，其先提供第一基板，且第一基板的正面已形成有多个凹陷图案。接着，提供第二基板。然后，在第二基板上形成非晶硅薄膜。继之，使第二基板上的非晶硅薄膜与第一基板的正面接触。接着，进行退火工艺，使非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜。之后，将第一基板以及第二基板分离。继之，图案化第二基板上的多晶硅薄膜以形成多晶硅岛状物。再来，形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之，在栅绝缘层上形成栅极。之后，于栅极两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而源极/漏极之间即是通道区。此薄膜晶体管的制造方法可减少其制造步骤以及工艺时间。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941298A

申请号：

CN200510108108.3

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吴耀铨侯智元胡国仁刘博智

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

台湾省台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

薛平

优先权：

CN200510108108.3

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336