薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要

一种薄膜晶体管的制造方法,其先提供第一基板,且第一基板的正面已形成有多个凹陷图案。接着,提供第二基板。然后,在第二基板上形成非晶硅薄膜。继之,使第二基板上的非晶硅薄膜与第一基板的正面接触。接着,进行退火工艺,使非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜。之后,将第一基板以及第二基板分离。继之,图案化第二基板上的多晶硅薄膜以形成多晶硅岛状物。再来,形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之,在栅绝缘层上形成栅极。之后,于栅极两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极,而源极/漏极之间即是通道区。此薄膜晶体管的制造方法可减少其制造步骤以及工艺时间。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1941298A
申请号 :
CN200510108108.3
公开(公告)日 :
2007-04-04
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴耀铨侯智元胡国仁刘博智
申请人 :
中华映管股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北市中山北路三段二十二号
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
薛平
优先权 :
CN200510108108.3
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2020-09-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20190929
2009-08-05 :
授权
2007-05-30 :
实质审查的生效
2007-04-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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