薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1254947A
申请号 ：
CN99120389.5
公开（公告）日 ：
2000-05-31
申请日 ：
1992-09-25
授权号 ：
CN1147004C
授权日 ：
2004-04-21
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99120389.5
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101348518437
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL991203895
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20040421
期满终止日期 : 20120925
号牌文件序号 : 101348518437
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL991203895
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20040421
期满终止日期 : 20120925
2004-04-21 ：
授权
2000-05-31 ：
公开
2000-05-03 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
