薄膜晶体管及其制造方法
授权
摘要
本发明是关于一种薄膜晶体管及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成栅极于基板上；依序形成绝缘层、半导体层、欧姆接触层及金属层覆盖于栅极及基板上；再形成图案化光致抗蚀剂层于栅极与栅极一侧上方的金属层上，且图案化光致抗蚀剂层具有第一部分、第二部分与第三部分，其中第一部分是用以定义为沟道区，第二部分是用以定义为源/漏极，第三部分是位于部分第二部分的一侧且远离第一部分；随后，选择性蚀刻金属层、欧姆接触层及半导体层，以定义出沟道区与源/漏极，且形成部分源/漏极电极的远离沟道区的一侧具有斜角侧边。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828851A
申请号 ：
CN200610006060.X
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石志鸿
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006060.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-10-21 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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