薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种在薄膜晶体管的制造方法中，能够在有阶差的部位上简便而确实地形成层叠膜或连接膜的方法。本发明的制造方法，其特征在于，包括：形成围堰的工序，所述围堰包括处于半导体层(84)上位于该半导体层(84)的大体中央部分的第一围堰部(31b)、和处于半导体层(84)的周边以包围该半导体层(84)的形式形成的薄膜部(32)和以包围该薄膜部(32)的形式形成的厚膜部(33)的第二围堰部(31a)；在包围薄膜部(32)和第一围堰部(31b)的区域内，以覆盖半导体层(84)的形式配置含有导电性材料的第一功能液(60)的工序；和将该的第一功能液干燥得到第一导电膜的干燥工序；然后除去薄膜部(32)，在该除去区域形成第二导电膜。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755905A
申请号 ：
CN200510106335.2
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
传田敦
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510106335.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/84
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2016-11-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101687168160
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101063352
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20150923
号牌文件序号 : 101687168160
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101063352
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20150923
2008-10-08 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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