薄膜晶体管及其制造方法

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摘要

一种薄膜晶体管，包括一栅极，形成于一基板上；一栅极绝缘层，覆盖栅极；一非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；一掺杂非晶硅区，形成于非晶硅区上；一源极金属区和一漏极金属区，电隔绝地形成于掺杂非晶硅区上并位于栅极上方，且源极金属区和漏极金属区与非晶硅区分离；一数据线金属区，和源极金属区相隔一间距并形成于栅极绝缘层上方；一保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区，保护层具有第一、第二和第三介层洞，以分别暴露漏极金属区、源极金属区和数据线金属区的部分表面；和一导电层，形成于保护层上并覆盖第一、第二和第三介层洞，以电连接数据线金属区和源极金属区。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1770475A

申请号：

CN200510108838.3

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈纪文张鼎张刘柏村黄国有彭仁杰

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510108838.3

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336