薄膜晶体管及其制造方法
授权
摘要
本申请涉及薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备。根据本技术的实施方式提供了一种薄膜晶体管，包括：栅电极以及一对源电极和漏电极；以及半导体层，具有在其中形成的沟道，并且具有分别连接至所述一对源电极和漏电极的一对连接部，其中，所述一对连接部的相对面中的一者或者两者为非平面。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110010697A
申请号 ：
CN201910028012.8
公开（公告）日 ：
2019-07-12
申请日 ：
2014-07-09
授权号 ：
CN110010697B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
甘利浩一
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN201910028012.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/417 H01L21/336 H01L51/00 H01L51/05
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20140709
申请日 : 20140709
2019-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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