薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1525543A
申请号 ：
CN200410008282.6
公开（公告）日 ：
2004-09-01
申请日 ：
1992-09-25
授权号 ：
CN100388443C
授权日 ：
2008-05-14
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN200410008282.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/84 G02F1/136
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101348518461
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2004100082826
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20080514
期满终止日期 : 20120925
号牌文件序号 : 101348518461
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2004100082826
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20080514
期满终止日期 : 20120925
2008-05-14 ：
授权
2004-11-10 ：
实质审查的生效
2004-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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