薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法

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摘要

本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管包括：衬底；在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110972508A

申请号：

CN201980000226.2

公开（公告）日：

2020-04-07

申请日：

2019-03-04

授权号：

CN110972508B

授权日：

2022-05-03

发明人：

王治袁广才关峰许晨王学勇杜建华李超陈蕾

申请人：

京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

牛南辉

优先权：

CN201980000226.2

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L21/336 H01L29/786